Producción CyT
64th Spring Meeting of the Japan Society of Applied Physics - GaN selective regrowth by Pico?sec Pulsed Laser Deposition with HSQ mask
Congreso
Fecha:
2018Editorial y Lugar de Edición:
Japan Society of Applied PhysicsResumen *
近年 GaN デバイスは電力応用に期待されて いるが、Si パワーデバイスと比べてコンタクト抵抗が大きい という問題がある。 更なる高効率化のためにコンタクト抵抗を 下げることは大きな課題であり、これまで n 型 GaN 再成長層 を形成する方法が注目されてきた。我々はこれまでの MBE 法 や MOCVD 法などに代えて PLD 法 ( Fig.1 ) を用いることでよ り簡便に行うことを試み、低コンタクト抵抗を実現した。 更に、HSQ (Hydrogen Silsesquioxane) を用いて SiO2 マスク膜形成を Fig. 1 PLD system image 簡単化し、選択成長を実現した。 Información suministrada por el agente en SIGEVAPalabras Clave
PicoSecond Pulsed LaserRegrowthGallim NitridePulsed Laser Deposition