AV. GRAL. PAZ 1499, B1650 - General San Martín - Buenos Aires - Argentina
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ResumenInformación suministrada por el agente en SIGEVA
Durante mi doctorado y post-docs ene l extranjero me especialicé en el estudio sistemas de electrones fuertemente correlacionados en gases bidimendionales así como en estados Hall cuántico fraccionarios. La técniacs utilizados: espectroscopía raman, PL y magneto-PL y técnicas de magneto-transporte refrigeradores diluídos de He3/He4 (15 mK), de He3 (300 mK) y He4 (1.5 K). Procesamiento y caracterización de muestras por AFM, foto-litografía, EBL, SEM Deposición de metales en alto vacío, etching...Durante mi doctorado y post-docs ene l extranjero me especialicé en el estudio sistemas de electrones fuertemente correlacionados en gases bidimendionales así como en estados Hall cuántico fraccionarios. La técniacs utilizados: espectroscopía raman, PL y magneto-PL y técnicas de magneto-transporte refrigeradores diluídos de He3/He4 (15 mK), de He3 (300 mK) y He4 (1.5 K). Procesamiento y caracterización de muestras por AFM, foto-litografía, EBL, SEM Deposición de metales en alto vacío, etching processes, etc, en compuestos III-V, II-V con impurezas magnéticas, grafeno. Actualmente: Desarrollo de técnicas de caracterización y crecimiento de películas delgadas de compuestos III-V para aplicaciones en celdas solares.
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Líneas de Investigación
Compuestos semiconductores
Ingenierías y tecnologías
Ingeniería de los materiales
Ingeniería de los materiales
Espectroscopía
Ciencias naturales y exactas
Ciencias físicas
Física de los materiales condensados
Capacidades Tecnológicas
2 - Producción industrial, tecnologías de materiales y transportes
2.7 - Tecnología de materiales
2.7.11 - Tecnologías de elementos no-metálicos
2.7.14 - Propiedades de los materiales, corrosión / degradación
2.7.22 - Nanomateriales
4 - Energía
4.5 - Fuentes de energía renovables
4.5.3 - Sistemas fotovoltaicos
5 - Ciencias físicas y exactas
5.5 - Micro y nanotecnología
Palabras Clave
Hall EffectPLRamanEfecto Hallsemiconductores III-VIII-V semiconductors