PALUMBO, FELIX ROBERTO MARIO

INVESTIGADOR PRINCIPAL

ESPECIALIDAD:

FISICA DE DISPOSITIVOS - MICROELECTRONICA - NANOTECNOLOGIA

Disciplina Científica:

Física - Física

Tema:

DEGRADACION Y FIABILIDAD DE DISPOSITIVOS MOS (METAL-OXIDO-SEMICONDUCTOR)AVANZADOS. APLICABILIDAD PARA EL ESPACIO Y NANOTECNOLOGIA . Reliability of advance MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices. Applicability for space missions and nanotechnology.

Lugar de Trabajo

UNIDAD DE INVESTIGACION Y DESARROLLO DE LAS INGENIERIAS Depende de

UNIVERSIDAD TECNOLOGICA NACIONAL (UTN)

FACULTAD REGIONAL BUENOS AIRES

	Dirección:
	MEDRANO 951, piso pb - Capital Federal - Argentina

Contacto:

Enviar Mensaje

Experticia en CyT*

Félix Palumbo recibió el título de licenciado (2000) y de doctor (2005) ambos en Cs. Físicas en la FCEyN- UBA, Argentina. Su área de interés es en el campo de la fiabilidad de estructuras MOS III-V, degradación de tecnología SOI, ruptura de dieléctricos de alta constante, conmutación resistiva y efectos de la radiación en dispositivos semiconductores y circuito integrados CMOS, el transporte en sistemas mesoscópicos e interfaces óxido-semiconductor. En la actualidad, es investigador independiente del CONICET, y director del laboratorio de nano-electronica de la UIDI(CONICET-UTN) de la FRBA-UTN. El interés por la ciencia aplicada lo impulsó a iniciar colaboraciones de investigación con empresas como IBM-Fishkill-EE.UU, Tower Jazz-Israel, SOITEC-Francia, y es visitante frecuente científica de las instituciones académicas como IMM-CNR-Italia, el IMEP-LAHC-Minatec, en Grenoble-Francia, la Universidad Autónoma de Barcelona-España, y el Instituto de Tecnología de Israel-Technion. Respecto de la actividad docente, actualmente es profesor titular de la Universidad Tecnológica Nacional (UTN). *Información suministrada por el agente en SIGEVA

Líneas de Investigación

micro- y nano-electronica, estructuras MOS, y fiabilidad de circuitos CMOS CIENCIAS NATURALES Y EXACTAS - Ciencias Físicas - Física de los Materiales Condensados

Capacidades Tecnológicas

1. Electrónica, TICs y telecomunicaciones

3. TICs y aplicaciones telemáticas

3.1. Aplicaciones para la salud

5. Telecomunicaciones, Redes

5.6. Radar
5.8. Tecnología de satélites / posicionamiento / comunicación en GPS
5.9. Procesado de señales

6. Circuitos electrónicos, componentes y equipos

6.2. Ingeniería electrónica
6.4. Tecnología de alta frecuencia, microondas
6.5. Dispositivos / materiales magnéticos y superconductores
6.6. Nanotecnología relacionada con electrónica y microelectrónica
6.8. Micro y nanotecnologías relacionadas con electrónica y microelectrónica
6.10. Circuitos impresos y circuitos integrados
6.11. Informática cuántica
6.12. Semiconductores

2. Producción industrial, tecnologías de materiales y transportes

7. Tecnología de materiales

7.5. Materiales compuestos
7.22. Nanomateriales

5. Ciencias físicas y exactas

5. Micro y nanotecnología

Palabras Clave

MOS con semiconductores III-V y III-NFiabilidad de oxido de puertaMOS on III-V and III-N based stacksEfectos de la radiacion en sistemas MOS y circuitos CMOSRadiation effects in MOS stacks and CMOS circuitsGate Oxide Reliability

Formación Académica

2000 - 2005

Doctor

FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS Y NATURALES, UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES

1993 - 2000

Licenciado

FACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS Y NATURALES, UNIVERSIDAD DE BUENOS AIRES

Formación de Recursos Humanos en CyT

Codirector de

FERREYRA, ROMUALDO ALEJANDRO

Carrera Investigador

Producción CyT

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Oferta Tecnológica

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