Science and Technology Production
Congress
Authorship
Matias Cornet
;
Grinblat, Gustavo
;
Marín Ramírez, Oscar Alonso
;
Andrea Bragas
;
Comedi, David
Date
2024
Publishing House and Editing Place
Asociación Física Argentina
Summary
Information provided by the agent in
SIGEVA
En los últimos años, los avances tecnológicos han impulsado la demanda de materiales con propiedades optoelectrónicassuperiores para hacer frente a nuevos retos y necesidades. La búsqueda de materiales eficientes, sustentables y versátilesse ha intensificado, especialmente en el ámbito del cuidado ambiental y la producción de energía. En este contexto, elóxido de zinc (ZnO) se ha convertido en uno de los más estudiados...
En los últimos años, los avances tecnológicos han impulsado la demanda de materiales con propiedades optoelectrónicassuperiores para hacer frente a nuevos retos y necesidades. La búsqueda de materiales eficientes, sustentables y versátilesse ha intensificado, especialmente en el ámbito del cuidado ambiental y la producción de energía. En este contexto, elóxido de zinc (ZnO) se ha convertido en uno de los más estudiados en las últimas décadas. Sus propiedades, entre lasque se incluyen una energía de banda prohibida de 3.37 eV (λeq = 368nm) y una energía de ligadura excitónica de 60meV, superior a la energía térmica a temperatura ambiente, junto con la posibilidad de nanoestructuración a través desíntesis sencillas, escalables y amigables con el medio ambiente, lo convierten en un candidato ideal para aplicaciones enfotocatálisis y fabricación de celdas solares [1]. Con respecto a esto último, las nanoestructuras de una dimensión facilitanel transporte de portadores de carga fotoexcitados [2].En este trabajo, se sintetizaron nanobarras y nanohilos de ZnO empleando dos técnicas distintas. Las nanobarras fueroncrecidas mediante un método de síntesis solvotermal, y los nanohilos utilizando el método de transporte en fase de vapor.Las muestras se caracterizaron mediante microscopía electrónica de barrido (SEM) y fotoluminiscencia. Los experimentosrevelaron diámetros desde las decenas de nanometros hasta unos pocos micrómetros, y largos de entre 1 y 20 µm, quemuestran emisión en el UV cercano, debida a recombinaciones de origen excitónico; y en el visible, debida a recombinacionesmediadas por estados electrónicos presentes en la banda prohibida, originados por defectos puntuales en la estructura delmaterial.Con una parte de las nanoestructuras, se prepararon suspensiones coloidales que fueron vertidas sobre sustratos devidrio con patrones de resina microestructurada. Las muestras fueron analizadas en un microscopio óptico y con SEM. Esteprotocolo permitió el estudio de nanoobjetos individuales selectos utilizando óptica ultrarrápida en un experimento del tipobombeo-prueba. A través de esta técnica, se estudió la respuesta transitoria y dinámica de portadores en el material en laescala de los picosegundos. Los resultados revelaron procesos electrónicos típicos de semiconductores de banda directa, yel protocolo desarrollado abre las puertas a estudios posteriores que permitan refinar el proceso de síntesis y la calidad delas nanoestructuras.
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Key Words
DINAMICA ELECTRONICAZNO